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公司新聞技術(shù)文章關(guān)于我們

2016 02-20: 新到22只ABB模塊，5SNA1500E330305

新到22只ABB模塊，5SNA1500E330305，*，正在*中，歡迎選購(gòu)

2015 02-09: 2015春節(jié)放假通知

值此春節(jié)來(lái)臨之際，我司于2015年2月10日---2月24日放假，感謝新老客戶以往對(duì)我司的大力支持，預(yù)祝新春愉快！！！

2014 12-30: 雙向可控硅的工作原理介紹

雙向可控硅的工作原理：1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此

2014 12-04: 發(fā)光二極管已成生活*的一部分

發(fā)光二極管通常稱(chēng)為L(zhǎng)ED，它們雖然名不見(jiàn)經(jīng)傳，卻是電子世界中真正的英雄。它們能完成數(shù)十種不同的工作，并且在各種設(shè)備中都能找到它們的身影。它們用途廣泛，例如它們可以組成電子鐘表表盤(pán)上的數(shù)字，從遙控器傳輸

2014 09-05: 什么是IGBT

IGBT簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是一三極管。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓

2014 06-26: 三菱IGBT模塊的發(fā)展趨勢(shì)及使用范圍介紹

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOS

2013 08-27: 萬(wàn)豐興業(yè)分析電力電子（可控硅）的發(fā)展

工控摘要：根據(jù)中國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的情況來(lái)看，目前制約中國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的四大熱點(diǎn)問(wèn)題是油、電、煤、運(yùn)。而煤-運(yùn)-電，這又是一條互相制約、協(xié)調(diào)發(fā)展的經(jīng)濟(jì)鏈。因此在未來(lái)幾年內(nèi)，節(jié)能、節(jié)電、環(huán)保工作將會(huì)提到政府的工作日

2012 09-27: 大量熱賣(mài)現(xiàn)貨，欲購(gòu)從速

您好，我司近來(lái)有大量熱賣(mài)庫(kù)存，產(chǎn)品如下：SKM40GD123D,SKM22GD123D,SKKQ560/14E,SKKQ800/14E,SKKQ800/18E,SKKQ1200/14E,SKKQ120

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IGBT保管、使用、選擇時(shí)的技巧

—— 2019/10/22

提出選擇和安裝過(guò)程中應(yīng)該注意的方面,對(duì)IGBT的特性注意事項(xiàng)進(jìn)行了研討。1IGBT模塊簡(jiǎn)介相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫(xiě)，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸

IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng)介紹

—— 2019/10/22

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu).IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要

英飛凌IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

—— 2017/12/6

英飛凌IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)英飛凌IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)，一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)的可靠和有效運(yùn)

可控硅的特性種類(lèi)介紹

—— 2014/12/30

一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使

二極管的分類(lèi)介紹

—— 2014/12/4

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電

西門(mén)子的發(fā)展及進(jìn)入中國(guó)

—— 2013/8/26

近幾年西門(mén)子在工業(yè),能源,醫(yī)療,城市基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域世界。西門(mén)子是世界上zui大的電氣和電子公司之一，歷經(jīng)150年來(lái)常盛不衰，其營(yíng)業(yè)收入在2003年列財(cái)富500強(qiáng)第21位，在電子電氣類(lèi)公司中更是名列。在

可控硅的基本產(chǎn)品概述

—— 2012/11/8

可控硅又稱(chēng)晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向可控硅、雙向可控硅、光控可控硅、逆導(dǎo)可控硅、可

在保管IGBT模塊時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)

—— 2012/11/8

在保管IGBT模塊時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)：1、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方；2、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離

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北京萬(wàn)豐興業(yè)科技有限公司

北京萬(wàn)豐興業(yè)科技有限公司專(zhuān)業(yè)代理東芝IGBT模塊,三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊,西門(mén)康IGBT模塊等德國(guó)，歐洲、美國(guó)、日本等經(jīng)銷(xiāo)品牌功率器件模塊歡迎經(jīng)銷(xiāo)商、廠商來(lái)電咨詢!公司一直本著“質(zhì)量保證，價(jià)格合理，交貨快捷，客戶*”的經(jīng)營(yíng)宗旨，公司貨源一手，在廣大用戶的大力支持下，業(yè)務(wù)日益發(fā)展。公司經(jīng)營(yíng)的電力功率模塊，主要用于電機(jī)調(diào)速，礦山焊機(jī)，船舶艦艇，變頻設(shè)備等高科技領(lǐng)域。

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