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10月22日訊，聯華電子(聯電)今日宣布推出55納米BCD工藝平臺，進一步完善其在電源管理領域的特殊制程布局。
該平臺能在單一芯片上集成模擬、數字與電力元件，為移動設備、消費電子、汽車及工業應用提供更高電源效率與更小芯片面積。
BCD技術的“前世今生”
BCD，全稱Bipolar-CMOS-DMOS，是一項特色工藝技術，它能夠在單一芯片上集成三種不同類型的元件：雙極晶體管、CMOS邏輯器件和DMOS功率器件。
這種集成能力使芯片設計人員可以將模擬、數字和電源管理功能整合在同一芯片上，如今在電源管理與混合信號集成電路等領域被廣泛利用。
據悉聯電的BCD技術節點范圍從0.5微米到55納米，滿足了跨越消費電子、計算機、通信、工業和汽車等多個市場的需求。
此次推出的55納米節點代表了聯電在BCD技術布局上的重要里程碑，進一步完善了其特殊制程產品組合。
三大制程路線
聯電全新的55納米BCD平臺提供了三種不同的制程變體，每種都針對特定應用需求進行了優化。
非外延制程具有獨特元件架構，為移動及消費類裝置提供了高性價比方案。
外延制程符合最嚴格的車規AEC-Q100 Grade 0標準，支持高達150V操作電壓，提升了在極端環境下車用電子的可靠性。
SOI制程同樣符合車規AEC-Q100 Grade 1標準，具備卓越的抗噪聲特性、高速運作與超低漏電性能，非常適合高端車用與工業使用。
平臺還整合了超厚金屬層、嵌入式閃存與RRAM憶阻器等技術，進一步提升了芯片效能與系統整合彈性。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示，雖然55納米BCD制程已在市場上量產多年，但聯電推出了全新且全面的55納米BCD解決方案，具備卓越的組件特性。
這一平臺將協助客戶打造創新電源解決方案，應用范圍涵蓋智能手機、穿戴式裝置、車用、智能家庭與智慧工廠等領域。
聯電已構建業界最完整且成熟的BCD技術組合，制程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55納米，提供具差異化的解決方案。
通過廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支持，聯電希望加速客戶產品開發周期，強化在智能電源與混合信號市場的競爭力。
如今成熟制程競爭日益激烈的，聯電沒有陷入內卷漩渦，而是持續加大在特殊制程領域的投入。
畢竟特殊制程不像先進邏輯制程那樣追求極致的晶體管尺寸縮小，而是針對特定應用場景優化器件性能和功能集成。
聯電近年來也是一直在強化其在特殊制程方面的布局，以區別于其他晶圓代工廠。
與此同時，聯電也在探索新的增長點。市場傳言稱，聯電正考慮重新進入更先進的制程領域，可能通過擴大與英特爾的合作，將制程能力延伸至6納米。
聯電首席財務官劉啟東表示，公司正在繼續探索更先進的制造技術。
結語
聯電在全球半導體產業鏈中扮演著重要角色，其十二座晶圓廠總月產能超過40萬片12吋約當晶圓，且全部符合汽車業的IATF 16949品質認證。
隨著物聯網、汽車電子和工業控制對高效能電源管理芯片的需求持續增長，聯電此次推出的55納米BCD平臺有望在智能手機、穿戴設備、汽車電子等領域有更廣泛的應用。
浙公網安備 33010602000006號
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