意法半導體(ST)推出全新M系列IGBT

　　摘要：意法半導體（ST）推出全新M系列1200VIGBT，以*的溝柵式場截止技術(trench-gatefield-stop)為特色，有效提升太陽能逆變器(solarinverters)、電焊機(weldingequipment)、不間斷電源(uninterruptible power supplies)與工業電機驅動器等多項目標應用的能效和可靠性。
　　
　　高度優化的導通性和關斷性以及低導通損耗(lowturn-onloss)，讓全新的改進型IGBT特別適用于執行工作頻率高達20kHz的硬開關電路(hard-switchingcircuit)；zui高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍(SOA,safeoperatingarea)無閉鎖效應(latch-upfree)，150°C時的短路耐受時間(short-circuitwithstandtime)為10µs，這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。
　　
　　新產品所用的第三代技術包括新的*的溝柵結構設計和優化的高壓IGBT架構，可以zui大限度地降低電壓過沖(voltageovershoot)，消除關斷期間出現的振蕩現象(oscillation)，有效降低電能損耗，簡化電路設計。與此同時，低飽和電壓(Vce(sat))可確保新產品具有很高的導通能效。正溫度系數和窄飽和電壓范圍可簡化新產品并聯設計，有助于提高功率處理能力。
　　
　　新產品還受益于提升的導通能效。此外，新產品與IGBT反向并聯(anti-parallel)的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復時間和增強的恢復軟度特性，且導通損耗沒有明顯上升，進而實現更出色的EMI性能表現。
　　
　　40ASTGW40M120DF3、2STGW25M120DF3和1STGW15M120DF3三款產品采用標準的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產品采用TO-247長引腳封裝，目前均已開始量產。