Vishay推出超薄2. IGBT和MOSFET驅動器

　　日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新的SMD封裝的超薄2.IGBT和MOSFET驅動器---VOL3120。VishaySemiconductors這款器件占位小，高度為2.5mm，zui小間隙和外部爬電距離為8mm。除了尺寸小的特點，器件還具有高隔離電壓，VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V，非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴重條件下運轉，例如電機驅動、可替代能源、焊接設備和其他高工作電壓的應用。
　　
　　VOL3120的高度比標準DIP封裝的器件低30%，能節省空間，并實現類似電磁爐面，以及民用太陽能電池和電機驅動中的小尺寸逆變器等扁平外形的應用。VOL3120不僅具有優異的隔離能力，還具有當今*的電氣性能。器件的過壓鎖定功能可保護IGBT/MOSFET，避免出現故障，對共模瞬態的抑制能力超過48kV/μs，能消除來自PCB上低壓區域的噪聲。
　　
　　VOL3120的工作損耗電流zui大為2.5mA，在要求高頻工作的電源應用里是很實用的選擇。器件的典型延遲小于250ns，典型上升和下降時間為100ns，極為適合要求IGBT和MOSFET快速開關的應用。
　　
　　今天推出的驅動器可在15V～32V電源電壓和-40℃～+100℃的工業溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-0201級，倉儲壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。