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長江存儲首席科學家：我國三維閃存芯片技術實現從落后到趕超

2025-07-07 10:02:53來源：快科技關鍵詞：長江存儲三維閃存芯片閱讀量：73181

導讀：在長江存儲的這十來年，團隊臥薪嘗膽，一路披荊斬棘，使我國的三維閃存芯片技術從無到有，從落后到趕超，實現了跨越式的發(fā)展。

　　7月6日消息，據媒體報道，在2025年北大研究生畢業(yè)典禮上，長江存儲首席科學家、校友霍宗亮作為校友代表發(fā)言，為畢業(yè)生們送上祝福與建議。

　　霍宗亮表示，北大自誕生之日起，就肩負著民族復興的使命；北大人的血液里，流淌著“家國天下”的基因。我們要做的就是不害怕坐冷板凳，不貪求快速的回報，在自主研發(fā)的道路上默默奮斗。

　　在長江存儲的這十來年，團隊臥薪嘗膽，一路披荊斬棘，使我國的三維閃存芯片技術從無到有，從落后到趕超，實現了跨越式的發(fā)展。

　　霍宗亮還稱，在任何一個領域，想要取得一番突破性的成就，都要做好吃些苦頭的心理準備。

　　據悉，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統解決方案產品于一體的存儲器IDM企業(yè)。

　　2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。

　　2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

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