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      SK海力士首發(fā)High-K散熱DRAM:熱導(dǎo)率提高3.5倍

      2025-08-28 09:50:56來源:快科技 關(guān)鍵詞:DRAMSK海力士移動(dòng)處理器閱讀量:22295

      導(dǎo)讀:SK海力士PKG產(chǎn)品開發(fā)負(fù)責(zé)人、副社長(zhǎng)李圭濟(jì)表示:“這款產(chǎn)品在提升性能的同時(shí),切實(shí)解決了高端智能手機(jī)用戶的痛點(diǎn),具有重要市場(chǎng)意義。
        8月28日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士已成功開發(fā)出業(yè)界首款采用“High-K EMC”材料的高效散熱移動(dòng)DRAM,并已開始向客戶供貨。
       
        EMC(環(huán)氧模封料,Epoxy Molding Compound)是半導(dǎo)體后道工藝中的關(guān)鍵封裝材料,用于保護(hù)芯片免受濕氣、熱量、沖擊和靜電等外部環(huán)境影響,并起到散熱作用所謂High-K EMC,是指通過采用具有更高熱導(dǎo)系數(shù)(K值)的材料提升整體熱導(dǎo)率(Thermal conductivity),從而顯著增強(qiáng)散熱性能。
       
        SK海力士表示,隨著端側(cè)AI(On-Device AI)對(duì)高速數(shù)據(jù)處理需求的增加,發(fā)熱問題已成為影響智能手機(jī)性能的主要瓶頸。該新款DRAM產(chǎn)品有效應(yīng)對(duì)了高性能旗艦機(jī)型的散熱挑戰(zhàn),已獲得全球客戶的高度認(rèn)可。
       
        目前主流旗艦手機(jī)大多采用PoP(Package on Package)封裝結(jié)構(gòu),即將DRAM堆疊在移動(dòng)處理器上方。盡管該結(jié)構(gòu)有利于節(jié)省空間并提升數(shù)據(jù)傳輸效率,但也導(dǎo)致處理器產(chǎn)生的熱量容易積聚于DRAM內(nèi)部,進(jìn)而影響整機(jī)性能。
       
        為解決這一散熱難題,SK海力士重點(diǎn)改進(jìn)了DRAM封裝中使用的EMC材料,通過在傳統(tǒng)二氧化硅(Silica)中摻入氧化鋁(Alumina),開發(fā)出High-K EMC新材料。其熱導(dǎo)率達(dá)到傳統(tǒng)材料的3.5倍,可將垂直導(dǎo)熱路徑中的熱阻降低47%。
       
        散熱性能的提升不僅有助于維持智能手機(jī)的高性能運(yùn)行,還可通過降低功耗延長(zhǎng)電池續(xù)航與設(shè)備壽命。公司預(yù)計(jì)該產(chǎn)品將引起移動(dòng)設(shè)備行業(yè)的廣泛關(guān)注并帶動(dòng)強(qiáng)勁需求。
       
        SK海力士PKG產(chǎn)品開發(fā)負(fù)責(zé)人、副社長(zhǎng)李圭濟(jì)表示:“這款產(chǎn)品在提升性能的同時(shí),切實(shí)解決了高端智能手機(jī)用戶的痛點(diǎn),具有重要市場(chǎng)意義。我們將繼續(xù)依托材料技術(shù)創(chuàng)新,鞏固新一代移動(dòng)DRAM領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。”

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