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總投資20億元！又一半導體光芯片項目簽約：年產值超10億元

2026-04-09 11:57:15來源：快科技關鍵詞：半導體光芯片光芯片制造閱讀量：20192

導讀：上海三菲半導體有限公司長期立足光芯片、電芯片與算法的自主核心技術，4月9日消息，三菲化合物半導體光芯片制造基地項目近日簽約落戶太倉市城廂鎮，項目計劃總投資20億元。

　　4月9日消息，三菲化合物半導體光芯片制造基地項目近日簽約落戶太倉市城廂鎮，項目計劃總投資20億元。

　　其中一期項目總投資10億元，預計今年8月開工建設、2028年投產運營，達產后可實現年產值超10億元。

　　上海三菲半導體有限公司長期立足光芯片、電芯片與算法的自主核心技術，擁有穩定出貨800萬顆/月高端光芯片的經驗。

　　該項目將主要從事磷化銦(InP)激光器和光電探測器芯片、砷化鎵(GaAs)激光器芯片的研發與制造。

　　同時，打造外延生長、光芯片制造、光電融合一體化產業鏈，產品主要應用于5G通信、數據中心、激光傳感等領域。

　　值得一提的是，光芯片是光通信、數據中心、激光雷達等系統的核心器件。在AI算力驅動下，800G/1.6T光模塊必須使用磷化銦做激光器和探測器，傳統硅和砷化鎵無法滿足高頻段需求。

　　據多家機構預測，2026年全球1.6T光模塊出貨量有望突破1000萬只，磷化銦應用迎來爆發前夜，價格也隨之飛漲，2英寸磷化銦襯底價格已從800美元漲至2300美元，漲幅達187%。

　　從產業全局來看，中國光芯片市場正迎來高速增長期。中國光芯片市場規模持續擴大，2023年約137億元，2025年預計達159億元以上，全球占比超過30%，處于快速發展的新周期。

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